等离子体处理装置及其制造方法和等离子体处理方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供等离子体处理装置及其制造方法和等离子体处理方法,即使在等离子体处理装置大型化的情况下,也能够使放电稳定。等离子体处理装置在生成有等离子体的处理容器的处理室中对基片进行处理,并包括:等离子体生成用高频电源;能够载置上述基片并与偏置用高频电源电连接的载置台;金属制的保护部件,其覆盖被接地的上述处理容器中的、与上述处理室连通的露出面的至少一部分;第一接地电位部件,其利用金属制的第一紧固部件与上述保护部件的一端紧固,并与上述处理容器的一部分接触而具有接地电位;和第二接地电位部件,其利用金属制的第二紧固部件与上述保护部件的另一端紧固,并与上述处理容器的另一部分接触而具有接地电位。
基本信息
专利标题 :
等离子体处理装置及其制造方法和等离子体处理方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114496701A
申请号 :
CN202111292961.0
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2021-11-03
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
塚本浩贵佐藤亮笠原稔大
申请人 :
东京毅力科创株式会社
申请人地址 :
日本东京都
代理机构 :
北京尚诚知识产权代理有限公司
代理人 :
龙淳
优先权 :
CN202111292961.0
主分类号 :
H01J37/32
IPC分类号 :
H01J37/32
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管,例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
法律状态
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01J 37/32
申请日 : 20211103
申请日 : 20211103
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载