半导体装置的制造方法和等离子体氧化处理方法
专利权的终止
摘要
本发明的半导体装置的制造方法，进行以下工序：在半导体基板上形成栅极绝缘膜的工序；在该栅极绝缘膜上至少形成包括多晶硅层和含有高熔点金属的金属层的叠层体的工序；对该叠层体进行蚀刻处理，形成栅极电极的工序；和利用由具有多个狭缝的平面天线向处理室内导入微波而产生等离子体的等离子体处理装置，在处理压力为133.3～1333Pa、处理温度为250～800℃下，使用至少包含氢气和氧气的处理气体，进行等离子体处理，选择性地氧化上述栅极电极中的多晶硅层的工序。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置的制造方法和等离子体氧化处理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101053083A
申请号 ：
CN200680001097.1
公开（公告）日 ：
2007-10-10
申请日 ：
2006-01-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
佐佐木胜
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本国东京都
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN200680001097.1
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/423 H01L21/28 H01L29/49 H01L21/316
法律状态
2016-03-09 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101650103453
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL2006800010971
申请日 : 20060124
授权公告日 : 20110112
终止日期 : 20150124
号牌文件序号 : 101650103453
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL2006800010971
申请日 : 20060124
授权公告日 : 20110112
终止日期 : 20150124
2011-01-12 ：
授权
2007-12-05 ：
实质审查的生效
2007-10-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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