氧化膜的氮化处理方法和等离子体处理装置

专利权的终止

PDF下载

摘要

本发明涉及一种隧道氧化膜的氮化处理方法，其对非易失性存储元件中的隧道氧化膜实施氮化处理时，用含有氮气的处理气体实施等离子体处理，由此在隧道氧化膜表面部分形成氮化区域。

基本信息

专利标题：

氧化膜的氮化处理方法和等离子体处理装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101834133A

申请号：

CN201010163894.8

公开（公告）日：

2010-09-15

申请日：

2005-12-22

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

盐泽俊彦古井真悟小林岳志北川淳一

申请人：

东京毅力科创株式会社

申请人地址：

日本东京

代理机构：

北京尚诚知识产权代理有限公司

代理人：

龙淳

优先权：

CN201010163894.8

主分类号：

H01L21/318

IPC分类号：

H01L21/318 H01L21/00 H01L21/8247

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/30

用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的

H01L21/31

在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择

H01L21/314

无机层

H01L21/318

由氮化物组成的无机层

法律状态

2015-02-11 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101598340959
IPC(主分类) : H01L 21/318
专利号 : ZL2010101638948
申请日 : 20051222
授权公告日 : 20120125
终止日期 : 20131222

2012-01-25 ：

授权

2010-11-03 ：

实质审查的生效

号牌文件类型代码 : 1604
号牌文件序号 : 101012513112
IPC(主分类) : H01L 21/318
专利申请号 : 2010101638948
申请日 : 20051222

2010-09-15 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

文件下载

1、

CN101834133A.PDF

PDF下载

2、

CN101834133B.PDF

PDF下载