等离子体产生装置及等离子体处理方法
公开
摘要
等离子体产生装置具备：装置主体，形成有用于使处理气体等离子体化的反应室；至少一个排出通路，与反应室连接；扩散室，与至少一个排出通路连接；及多个喷出通路，与扩散室连接，且喷出在上述反应室中被等离子体化的等离子体气体，在这多个喷出通路中的至少一个喷出通路的朝向扩散室的开口形成有锥面。
基本信息
专利标题 ：
等离子体产生装置及等离子体处理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114586473A
申请号 ：
CN201980101498.1
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2019-10-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
岩田卓也
申请人 ：
株式会社富士
申请人地址 ：
日本爱知县知立市
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
杨青
优先权 ：
CN201980101498.1
主分类号 ：
H05H1/24
IPC分类号 ：
H05H1/24
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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