等离子体产生组件及等离子体处理装置
授权
摘要
本实用新型涉及一种等离子体产生组件及等离子体处理装置，所述组件用于半导体处理装置中，包括内线圈组和外线圈组；所述外线圈组包括至少两个呈环状绕制且同轴的线圈，各线圈形成独立闭合回路；任意一个外线圈组的线圈的直径，大于任意一个内线圈组的线圈的直径，且所述外线圈组被设置为相对于所述内线圈组可移动。由于将外线圈设置成分别包括若干个呈环状绕制的线圈的形式，各线圈可以分别独立控制，且外线圈组可移动，以改变等离子体产生组件产生的磁场分布，进而控制局部分布浓度较高的等离子体均匀扩散，解决了被处理基片局部蚀刻过度或蚀刻不足的问题，改善蚀刻缺陷，提高了产品的质量。
基本信息
专利标题 ：
等离子体产生组件及等离子体处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921627648.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-27
授权号 ：
CN210984687U
授权日 ：
2020-07-10
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
虞凌霄
优先权 ：
CN201921627648.6
主分类号 ：
H01J37/32
IPC分类号 ：
H01J37/32 H01L21/3065
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
法律状态
2020-07-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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