下电极组件及等离子体处理设备

授权

摘要

本申请实施例公开了一种下电极组件以及等离子体处理设备，该下电极组件除了包括吸附晶圆的静电吸盘及位于静电吸盘背离晶圆的一侧，给静电吸盘加热的第一加热装置之外，还包括设在静电吸盘外侧的第二加热装置，其中，所述第一加热装置对所述第一区域的加热效果大于对所述第二区域的加热效果，第二加热装置对所述第二区域加热的效果大于对所述第一区域加热的效果，从而可以利用所述第二加热装置调节所述第一加热装置对所述晶圆表面第一区域和第二区域的加热效果的差异，减小所述晶圆表面第一区域的刻蚀速率和第二区域的刻蚀速率之间的差异，提高所述晶圆表面第一区域和第二区域的刻蚀均匀性，从而提高所述晶圆表面的刻蚀均匀性。

基本信息

专利标题：

下电极组件及等离子体处理设备

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021937100.4

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-09-07

授权号：

CN213936112U

授权日：

2021-08-10

发明人：

梁玲谢海波张志雄李刚张栋

申请人：

长江存储科技有限责任公司

申请人地址：

湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

尹秀

优先权：

CN202021937100.4

主分类号：

H01J37/32

IPC分类号：

H01J37/32 H01L21/67