一种下电极组件及等离子体处理装置
授权
摘要
本实用新型提供了一种下电极组件及所处的等离子体处理装置，本实用新型通过在基座和边缘环组件之间设置多个保护环，将边缘环组件与基座之间的间隙分隔成几个较小的间隙，以及在基座外侧设置保护层，避免了基片和聚焦环上方的等离子体泄漏到基座与边缘环组件之间的间隙内，防止了等离子体腐蚀基座，降低了下电极组件可能出现的电弧放电的可能性，并且阻挡间隙下方发生电弧放电后向上的延伸，有效的保证了下电极组件的使用安全。
基本信息
专利标题 ：
一种下电极组件及等离子体处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021998546.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-14
授权号 ：
CN213026046U
授权日 ：
2021-04-20
发明人 ：
叶如彬黄国民赵函一郭二飞
申请人 ：
中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号
代理机构 ：
上海元好知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐雯琼
优先权 ：
CN202021998546.8
主分类号 ：
H01J37/32
IPC分类号 ：
H01J37/32
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
法律状态
2021-04-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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