等离子体处理方法和等离子体处理设备
专利权的终止
摘要
一种能够提高晶态到非晶态转变的均匀性的等离子体处理方法和设备。当将预定的气体通过进气孔(11)从气体供应设备(2)引入到真空容器(1)中时，通过排气孔(12)由作为排气设备的涡轮分子泵(3)排出，且该真空容器(1)中的压力由压力调节阀(4)保持在预定值。将13.56MHz的高频功率从高频电源(5)提供到接近电介质窗(7)设置的线圈(8)上，该电介质窗(7)与样品电极(6)相对，且感应耦合等离子体在真空容器(1)中生成。向样品电极(6)提供高频功率的高频电源(10)被提供，并作为控制样品电极(6)的电势的电压源。通过涉及样品电极(6)的结构，硅晶片(9)的表面中晶体层被均匀地转变为非晶态。
基本信息
专利标题 ：
等离子体处理方法和等离子体处理设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101053066A
申请号 ：
CN200580037487.X
公开（公告）日 ：
2007-10-10
申请日 ：
2005-10-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
奥村智洋佐佐木雄一朗冈下胜己金成国前嶋聪伊藤裕之中山一郎水野文二
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200580037487.X
主分类号 ：
H01L21/265
IPC分类号 ：
H01L21/265
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/26
用波或粒子辐射轰击的
H01L21/263
带有高能辐射的
H01L21/265
产生离子注入的
法律状态
2015-12-16 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101637736927
IPC(主分类) : H01L 21/265
专利号 : ZL200580037487X
申请日 : 20051027
授权公告日 : 20120201
终止日期 : 20141027
号牌文件序号 : 101637736927
IPC(主分类) : H01L 21/265
专利号 : ZL200580037487X
申请日 : 20051027
授权公告日 : 20120201
终止日期 : 20141027
2012-02-01 ：
授权
2007-12-05 ：
实质审查的生效
2007-10-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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