等离子体处理方法和设备
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
摘要
介绍了一种等离子体化学汽相淀积法和设备。该设备包括一真空室，真空室中设有两对电极。往其中一对电极加高频电压，以便在真空室中产生反应气体的等离子体。待涂敷的基片配置在另一对电极之间。往该另一对电极加频率较低的电压。借助于该低频电压，基片在淀积的过程中就受到等离子体的轰击。轰击的作用在于除去淀积材料较软的部分。
基本信息
专利标题 ：
等离子体处理方法和设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1041189A
申请号 ：
CN89107237.3
公开（公告）日 ：
1990-04-11
申请日 ：
1989-09-16
授权号 ：
CN1025353C
授权日 ：
1994-07-06
发明人 ：
山崎舜平土屋三宪林茂则广濑直树石田典也佐佐木麻里川野笃
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN89107237.3
主分类号 ：
C23C16/50
IPC分类号 ：
C23C16/50 C23C16/26
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/50
借助放电的
法律状态
2009-11-18 ：
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2002-04-24 ：
其他有关事项
1994-07-06 ：
授权
1991-12-04 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1990-04-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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