本发明提供等离子处理装置以及等离子处理方法。即使是在半导体晶片表面的微细形状中发生偏差的情况，也能精度良好地检测被处理膜的厚度。在具备检测在真空处理室的内部中被处理的被处理件的被处理膜的状态的处理状态检测组件的等离子处理装置中，具备如下要素而构成处理状态检测组件：检测等离子的发光的发光检测部；求取等离子的发光的微分波形数据的运算部；存储多个微分波形图案数据的数据库部；赋予基于运算部中求得的微分波形数据与存储于数据库部的多个微分波形图案数据的差的权重来算出在被处理件被处理的被处理膜的膜厚的估计值的膜厚算出部；和基于由膜厚算出部算出的被处理膜的膜厚的估计值来判定等离子处理的终点的终点判定部。