为了提供以高精度检测处理对象的膜的蚀刻量并提高处理的成品率的等离子处理装置或者等离子处理方法，具备如下工序：使用在从形成等离子起到所述蚀刻结束为止的多个时刻检测出表示在晶片表面反射而形成的多个波长的干涉光的强度的信号的结果，来检测所述处理对象的膜层的厚度或者蚀刻的深度，使用在该工序的刚形成所述等离子之后的初始的期间中得到的多个波长的干涉光的强度的变化的量，来检测所述处理对象的膜层的蚀刻处理开始的时刻，根据比较表示该开始的时刻以后的所述处理中的任意时刻的所述多个波长的干涉光的强度的实际数据和预先得到的与多个所述膜厚或者蚀刻深度的值对应的所述多个波长的干涉光的强度的检测用的多个数据的结果，来检测所述任意时刻的所述剩余膜厚或者蚀刻量。