等离子处理装置以及等离子处理方法
实质审查的生效
摘要
等离子处理装置具备：处理室，对试样进行等离子处理；高频电源，供给用于生成等离子的高频电力；第一高频电源，向载置有所述试样的试样台供给第一高频电力；第二高频电源，向所述试样台供给频率比所述第一高频电力的频率高的第二高频电力；以及控制装置，控制所述第一高频电源和所述第二高频电源，使得在供给一方的高频电力的期间，停止另一方的高频电力的供给，所述第一高频电力的频率和所述第二高频电力的频率根据相对于频率的离子能量分布的峰值半值宽度为来规定。
基本信息
专利标题 ：
等离子处理装置以及等离子处理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114467169A
申请号 ：
CN202080020927.5
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2020-09-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
德永贵之上村光弘森本未知数
申请人 ：
株式会社日立高新技术
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
吴秋明
优先权 ：
CN202080020927.5
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/3065 H01J37/32 H05H1/46
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20200902
申请日 : 20200902
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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