等离子处理装置以及等离子处理装置用构件
授权
摘要
本发明提供等离子处理装置以及等离子处理装置用构件。提供减少颗粒产生来提升处理的成品率的等离子处理装置或其处理室内部构件。等离子处理装置具备：处理室，其配置于真空容器内部，在其内部形成等离子；和构件，其构成该处理室的内壁表面，具有配置在暴露于所述等离子的表面且通过热喷镀氟化钇或包含氟化钇的材料而形成的覆膜，构成所述覆膜的氟化钇或包含氟化钇的材料的斜方晶的结晶相对于整体的比率为60％以上。
基本信息
专利标题 ：
等离子处理装置以及等离子处理装置用构件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110391123A
申请号 ：
CN201910135564.9
公开（公告）日 ：
2019-10-29
申请日 ：
2019-02-21
授权号 ：
CN110391123B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
上田和浩池永和幸田村智行角屋诚浩
申请人 ：
株式会社日立高新技术
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
高颖
优先权 ：
CN201910135564.9
主分类号 ：
H01J37/32
IPC分类号 ：
H01J37/32
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2019-11-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01J 37/32
申请日 : 20190221
申请日 : 20190221
2019-10-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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