等离子体处理装置用构件
授权
摘要
本发明的等离子体处理装置用构件，是在轴向具备贯通孔的由陶瓷构成的筒状体的等离子体处理装置用构件，陶瓷以氧化铝为主成分，具有多个晶粒和存在于晶粒间的晶界相，在筒状体的内周面，算术平均粗糙度Ra为1μm以上且3μm以下，算术高度Rmax为30μm以上且130μm以下。
基本信息
专利标题 ：
等离子体处理装置用构件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110944962A
申请号 ：
CN201880047916.9
公开（公告）日 ：
2020-03-31
申请日 ：
2018-07-27
授权号 ：
CN110944962B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
松藤浩正
申请人 ：
京瓷株式会社
申请人地址 ：
日本京都府
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
张毅群
优先权 ：
CN201880047916.9
主分类号 ：
C04B35/117
IPC分类号 ：
C04B35/117 C04B41/80 C23C16/44 C23F4/00 H01L21/3065
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C04
水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料
C04B
石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷；耐火材料；天然石的处理
C04B35/00
以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末
C04B35/01
以氧化物为基料的
C04B35/10
以氧化铝为基料的
C04B35/111
精细陶瓷
C04B35/117
复合材料
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2020-04-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C04B 35/117
申请日 : 20180727
申请日 : 20180727
2020-03-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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