等离子体处理装置
专利权的终止
摘要
本发明提供一种等离子体处理装置，在等离子体处理装置的处理室内的等离子体密度局部偏高的部位插入屏风部件，使等离子体失去活性，使等离子体密度均匀化。其特征在于，在等离子体处理装置(1)中，在处理室(3)内的等离子体密度局部偏高的部位上，设置使等离子体失去活性的屏风部件，使对被处理基板(G)的等离子体蚀刻率均匀化。
基本信息
专利标题 ：
等离子体处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1838386A
申请号 ：
CN200610058370.6
公开（公告）日 ：
2006-09-27
申请日 ：
2006-03-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
里吉务山本浩司田中勇一郎
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN200610058370.6
主分类号 ：
H01L21/3065
IPC分类号 ：
H01L21/3065 H01L21/00 C23F4/00 H05H1/46 H01J37/32
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
H01L21/3065
等离子腐蚀；活性离子腐蚀
法律状态
2016-04-27 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101658320004
IPC(主分类) : H01L 21/3065
专利号 : ZL2006100583706
申请日 : 20060303
授权公告日 : 20110209
终止日期 : 20150303
号牌文件序号 : 101658320004
IPC(主分类) : H01L 21/3065
专利号 : ZL2006100583706
申请日 : 20060303
授权公告日 : 20110209
终止日期 : 20150303
2011-02-09 ：
授权
2006-11-22 ：
实质审查的生效
2006-09-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1838386B.PDF
PDF下载
2、
CN1838386A.PDF
PDF下载
