等离子体处理装置
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提供了一种等离子体处理的面内均匀性高，而且难以产生充电损坏(charge up damage)的电容耦合型的等离子体处理装置。具有：保持在真空气氛中的腔室(1)；在腔室(1)内互相平行地配置的第一和第二电极(2)，(18)；和在第一和第二电极(2)，(18)之间形成高频电场，生成处理气体的等离子体的等离子体生成机构(10)，在该电容耦合型的等离子体处理装置(100)中，第一电极(2)支撑晶片(W)，并作为施加高频电力的阴极起作用，第二电极(18)作为接地的阳极起作用，第二电极(18)的与第一电极(2)对置的表面由导电体(18c)构成。
基本信息
专利标题 ：
等离子体处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1783431A
申请号 ：
CN200510127676.8
公开（公告）日 ：
2006-06-07
申请日 ：
2005-12-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
桧森慎司樋口公博松土龙夫饭嶋悦夫伊藤弘治松山昇一郎今井范章永关一也
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN200510127676.8
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00 H01L21/3065 H01L21/31 H01L21/20 C23C16/50 C23C14/34 C23F4/00 H01J37/32 H05H1/46
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2010-07-21 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101003375374
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利申请号 : 2005101276768
公开日 : 20060607
号牌文件序号 : 101003375374
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利申请号 : 2005101276768
公开日 : 20060607
2006-08-02 ：
实质审查的生效
2006-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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