等离子体处理装置
公开
摘要
本发明提供一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置用于提高上部电极或其周边的温度的测定精度。该等离子体处理装置具有：处理室；载置台，其配置于所述处理室内，用于载置基板；上部电极，其与所述载置台相向；调整所述上部电极的温度的构件；第一传感器，其设置于调整所述上部电极的温度的构件的内部，用于测定所述上部电极的温度；第一片构件，其配置于所述上部电极与所述第一传感器之间，该第一片构件在1MHz的频率下的相对介电常数为2.4以上。
基本信息
专利标题 ：
等离子体处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388328A
申请号 ：
CN202111187847.1
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-10-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
仙田孝博植村雄三桑原有生氏家智也
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN202111187847.1
主分类号 ：
H01J37/32
IPC分类号 ：
H01J37/32
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
法律状态
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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