等离子体处理装置
被视为撤回的申请
摘要
等离子体处理装置，它通过将加到置于反应容器内的待处理材料上的处理流体转变成等离子体，来促进处理反应。其中提供了光源，以用诸如紫外线或激光束的射线束照射转变成等离子体的处理流体，以产生光致反应。处理流体由微波能量转变成等离子体，并经射线束照射而被激发，从而得到速度加快的处理反应。另外，由于用射线束照射待处理材料表面，故可避免等离子体待处理表面时损坏，这样，可无损地迅速处理材料。
基本信息
专利标题 ：
等离子体处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86105186A
申请号 ：
CN86105186
公开（公告）日 ：
1987-06-03
申请日 ：
1986-08-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
大坂谷隆义
申请人 ：
株式会社日立制作所
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
李强
优先权 ：
CN86105186
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
1989-08-09 ：
被视为撤回的申请
1987-06-03 ：
公开
1987-02-04 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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