等离子体处理装置

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

摘要

本发明提供一种配置有等离子体约束装置的等离子体处理装置，所述等离子体约束装置包括彼此相互间隔设置并形成狭长通道的多个绝缘元件，至少部分绝缘元件内部嵌置有至少一个导电元件，所述导电元件相互电连接并接地形成电场屏蔽。该发明有效地解决了因等离子体扩散而引起的等离子处理装置腔体污染和在处理区外的二次等离子体放电问题。

基本信息

专利标题：

等离子体处理装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1948550A

申请号：

CN200510030576.3

公开（公告）日：

2007-04-18

申请日：

2005-10-14

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

倪图强

申请人：

中微半导体设备（上海）有限公司

申请人地址：

201201上海市浦东新区华东路5001号金桥出口加工区（南区）中央大道188号

代理机构：

上海智信专利代理有限公司

代理人：

王洁

优先权：

CN200510030576.3

主分类号：

C23C16/513

IPC分类号：

C23C16/513

IPC结构图谱

C部——化学；冶金

C23

对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制

C23C

对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆

C23C16/00

通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺

C23C16/44

以镀覆方法为特征的

C23C16/50

借助放电的

C23C16/513

采用等离子流

法律状态

2019-04-16 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

IPC(主分类) : C23C 16/513
变更事项 : 专利权人
变更前 : 中微半导体设备（上海）有限公司
变更后 : 中微半导体设备（上海）股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 201201 上海市浦东新区华东路5001号金桥出口加工区（南区）中央大道188号
变更后 : 201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号

2017-09-05 ：

专利权质押合同登记的生效、变更及注销

专利权质押合同登记的注销号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101758727349
IPC(主分类) : C23C 16/513
授权公告日 : 20090722
申请日 : 20051014
专利号 : ZL2005100305763
登记号 : 2009310000663
出质人 : 中微半导体设备(上海)有限公司
质权人 : 国家开发银行股份有限公司
解除日 : 20170809

2010-03-31 ：

专利权的质押、保全及解除(专利权的质押(保全))

质押(保全) : 质押
登记生效日 : 20091203

2009-07-22 ：

授权

2008-04-02 ：

实质审查的生效

2007-04-18 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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