等离子体处理装置
专利权的终止
摘要
一种等离子体处理装置，被指示基板(1)的尺寸时，读出根据高密度等离子体区域的直径尺寸Dp和高密度等离子体区域的中心与等离子体扩散区域下部之间的高度H的关系的可均匀溅击蚀刻范围的图；根据内压以及来自天线(116)的电磁波频率，求出高密度等离子体区域的中心与真空反应室(111)内部上面之间的高度Hp以及上述Dp的值；根据内压以及基板(1)的自给偏压电位大小，求出等离子体扩散区域的下部与支承台(113)上面之间的高度Hs；根据上述Dp、上述Hp、上述Hs的值，从上述图中求出可成为均匀溅击蚀刻范围的前述H值之后，控制升降装置(121)，以便达到上述H值。
基本信息
专利标题 ：
等离子体处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101006564A
申请号 ：
CN200680000657.1
公开（公告）日 ：
2007-07-25
申请日 ：
2006-02-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
松田竜一井上雅彦
申请人 ：
三菱重工业株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200680000657.1
主分类号 ：
H01L21/31
IPC分类号 ：
H01L21/31 H01L21/3065
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
法律状态
2014-04-16 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101581440818
IPC(主分类) : H01L 21/31
专利号 : ZL2006800006571
申请日 : 20060222
授权公告日 : 20081210
终止日期 : 20130222
号牌文件序号 : 101581440818
IPC(主分类) : H01L 21/31
专利号 : ZL2006800006571
申请日 : 20060222
授权公告日 : 20081210
终止日期 : 20130222
2008-12-10 ：
授权
2007-09-19 ：
实质审查的生效
2007-07-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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