多等离子体束溅射共沉积装置
专利申请的视为撤回
摘要
多等离子体束溅射共沉积装置，主要用于等离子体沉积多成分薄膜。本发明在靶室中设有2—4个溅射沉积微波等离子体源和一个辅助沉积微波等离子体源。每一个微波等离子体源安装在靶室的通道上。溅射沉积通道中装有圆筒式靶片，靶片通以直流或高频溅射电压，吸引微波等离子体源产生的等离子体中的正离子轰击靶片，产生溅射作用。本发明杂质污染小，易于控制薄膜成分比例，适合制作高性能功能薄膜和纳米超薄膜。
基本信息
专利标题 ：
多等离子体束溅射共沉积装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1087129A
申请号 ：
CN92111980.1
公开（公告）日 ：
1994-05-25
申请日 ：
1992-11-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭华聪
申请人 ：
四川大学
申请人地址 ：
610064四川省成都市九眼桥
代理机构 ：
四川大学专利事务所
代理人 ：
刘金蓉
优先权 ：
CN92111980.1
主分类号 ：
C23C14/34
IPC分类号 ：
C23C14/34 C23C14/46
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
1996-03-06 ：
专利申请的视为撤回
1994-05-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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