磁控溅射沉积装置
授权
摘要

本实用新型公开一种磁控溅射沉积装置,包括室体,室体内设置有背板和支撑架,支撑架和背板连接,支撑架用于支撑背板,背板的一侧面设置有靶材,靶材用于对待镀膜的面板进行镀膜,背板和支撑架均设置有多个,多个背板沿面板的宽度方向间隔排布,支撑架设置在相邻两个背板之间,支撑架包括支撑板,支撑板设置在背板背离靶材的一侧面,且该侧面和背板的边缘连接,支撑板远离靶材的一侧面设置有加强结构。通过在室体内设置多个背板,可以以增加背板数量的方式来减小单个背板的尺寸,从而降低背板的安装难度;通过设置支撑板,支撑板可以对背板进行支撑,在支撑板上设置加强结构,可以提高支撑板的强度,减少支撑板的变形。

基本信息
专利标题 :
磁控溅射沉积装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202123158726.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-12-14
授权号 :
CN216514102U
授权日 :
2022-05-13
发明人 :
兪其兌
申请人 :
乐金显示光电科技(中国)有限公司
申请人地址 :
广东省广州市高新技术产业开发区科学城开泰大道59号
代理机构 :
北京品源专利代理有限公司
代理人 :
沈鑫洪
优先权 :
CN202123158726.2
主分类号 :
C23C14/35
IPC分类号 :
C23C14/35  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的,例如磁控溅射
法律状态
2022-05-13 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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