一种同步热处理/磁控溅射TiO2薄膜沉积装置
授权
摘要
一种同步热处理/磁控溅射TiO2薄膜沉积装置。本实用新型针对已有磁控溅射技术制备TiO2薄膜时需要后续高温退火处理而导致工艺复杂的问题。本实用新型包括等离子体源阳极、阴极、基体、Ti靶、起弧阳极、限位开关等，基体位于真空室的中心区域，等离子体源阳极与Ti靶位于基体两侧。利用等离子体源的热辐射和离子轰击效应，制备TiO2薄膜时同步实现快速高温退火处理。
基本信息
专利标题 ：
一种同步热处理/磁控溅射TiO2薄膜沉积装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202220119368.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2022-01-17
授权号 ：
CN216639626U
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
许建平王佳杰于久灏陈晶李青川张梓烨
申请人 ：
黑龙江工程学院;黑龙江省海振科技有限公司
申请人地址 ：
黑龙江省哈尔滨市道外区红旗大街999号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202220119368.X
主分类号 ：
C23C14/08
IPC分类号 ：
C23C14/08 C23C14/35 C23C14/58
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/06
以镀层材料为特征的
C23C14/08
氧化物
法律状态
2022-05-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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