一种提升磁控溅射镀膜沉积速率装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种提升磁控溅射镀膜沉积速率装置，包括真空腔室、设置真空腔室顶部的密封盖、穿设在密封盖上的升降台及固定设置在升降台上的助吸装置，所述助吸装置包括吸环、连管及半圆形密封盘，所述吸环上均匀分布吸气孔，所述连管与吸环相连通，所述半圆形密封盘设置在连管端部位置，所述吸环表面相对位置处设有支撑块，所述支撑块上设有紧固螺钉，并通过紧固螺钉与升降台相连。本实用新型的有益效果是：该装置设计结构合理，使用方便，应用本装置为样品进行磁控溅射镀膜，使镀膜效率得到提高，对薄膜的制造领域具有重要的意义。
基本信息
专利标题 ：
一种提升磁控溅射镀膜沉积速率装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921859837.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-31
授权号 ：
CN210657118U
授权日 ：
2020-06-02
发明人 ：
马毅谢续友黄先伟俞越翎张泰华
申请人 ：
浙江工业大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市下城区朝晖六区
代理机构 ：
杭州浙科专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
吴秉中
优先权 ：
CN201921859837.6
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2020-06-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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