真空磁控溅射镀膜装置
授权
摘要

本实用新型公开一种真空磁控溅射镀膜装置,包括真空室,真空室内设置加热器,真空室的底部设置有冷凝组件,加热器与冷凝组件之间设置能够反射热辐射的反射组件,反射组件包括基板和挡板,基板上开设有第一通孔,挡板设置在基板与加热器之间,挡板与基板间隔,挡板的竖直方向的投影遮挡第一通孔,挡板与基板之间形成通道,通道与第一通孔连通,水蒸汽依次通过通道、第一通孔与冷凝组件进行热交换。通过将基板和挡板间隔设置,二者之间可以形成通道,而基板上开设的第一通孔与通道连通,可以使反射组件上方的水蒸汽能够尽可能多的进入到冷凝组件所在的区域,与冷凝组件充分进行热交换,提升冷却效果,保证镀膜质量。

基本信息
专利标题 :
真空磁控溅射镀膜装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022223691.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-09-30
授权号 :
CN213142171U
授权日 :
2021-05-07
发明人 :
金忠满
申请人 :
乐金显示光电科技(中国)有限公司
申请人地址 :
广东省广州市广州高新技术产业开发区科学城开泰大道59号
代理机构 :
北京品源专利代理有限公司
代理人 :
胡彬
优先权 :
CN202022223691.5
主分类号 :
C23C14/35
IPC分类号 :
C23C14/35  
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IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的,例如磁控溅射
法律状态
2021-05-07 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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