多室真空磁控溅射镀膜装置
授权
摘要
本实用新型公开一种多室真空磁控溅射镀膜装置，多室真空磁控溅射镀膜装置包括运转机构、传送部、前室以及镀膜室，镀件设于一工件转架上，传送部与前室衔接，前室与镀膜室衔接，传送部、前室和镀膜室形成镀件的镀膜通道，前室与镀膜室独立设置真空设备，工件转架通过运转机构在镀膜室内转动，前室与镀膜室之间设置有阻挡装置，阻挡装置用于阻挡镀膜通道以使前室和镀膜室为单独的密封腔室，前室设有加热机构和第一转送机构，加热机构设于前室的室壁，第一转送机构设于前室底部，工件转架通过第一转送机构移动于前室，本实用新型技术方案可以通过隔断本体将前室和镀膜室进行隔断密封或进行开启连通从而提高了密封性。
基本信息
专利标题 ：
多室真空磁控溅射镀膜装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122000052.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-08-24
授权号 ：
CN216155954U
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
孙桂红黄国兴祝海生梁红陈立唐莲唐洪波
申请人 ：
湘潭宏大真空技术股份有限公司
申请人地址 ：
湖南省湘潭市九华经济区盛世路8号
代理机构 ：
湖南乔熹知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
安曼
优先权 ：
CN202122000052.7
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/56
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2022-04-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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