一种磁控溅射真空镀膜装置
授权
摘要
本实用新型涉及一种磁控溅射真空镀膜装置；其特征在于：包括硅靶、铬靶、反应炉、旋转设置在所述反应炉内的转盘、挂置产品的挂架、将所述反应炉内抽真空的真空装置和向所述反应炉充入惰性气体的充气装置；所述挂架旋转设置在所述转盘上；所述硅靶和所述铬靶分别旋转设置在所述反应炉内所述挂架的两侧；所述反应炉分别开设有出气口和进气口；所述真空装置连通所述出气口，所述充气装置连通所述进气口。解决了现有方案造成的产品表面的薄膜硬度低，使得镀膜质量较差和溅射靶溅射镀膜不均匀，严重影响镀膜质量影响等问题。
基本信息
专利标题 ：
一种磁控溅射真空镀膜装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020961934.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-29
授权号 ：
CN212505045U
授权日 ：
2021-02-09
发明人 ：
郑亮李鸿飞
申请人 ：
江苏特丽亮镀膜科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区胡埭工业园南区胡埭路3号
代理机构 ：
无锡睿升知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张悦
优先权 ：
CN202020961934.2
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/50 C23C14/56
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2021-02-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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