磁控溅射蒸发双系统卷绕真空镀膜机
授权
摘要
本发明提供了一种磁控溅射蒸发双系统卷绕真空镀膜机，属于镀金属膜设备技术领域。它解决了现有不同的金属靶材其溅射出的靶材原子在各个靶材表面沉积的问题。本磁控溅射蒸发双系统卷绕真空镀膜机，包括真空室以及设置于真空室内的卷绕系统、溅射源和蒸发炉，卷绕系统包含有至少为两个的镀膜鼓，且相邻两镀膜鼓之间设置有起隔离作用的真空腔，真空腔内的真空度大于真空室的真空度，每个镀膜鼓对应一种溅射源，真空室内位于镀膜鼓的侧方设置有蒸发炉。本发明具有可以有效防止溅射靶材之间发生相互干扰的优点。
基本信息
专利标题 ：
磁控溅射蒸发双系统卷绕真空镀膜机
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021929128.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-07
授权号 ：
CN213172559U
授权日 ：
2021-05-11
发明人 ：
林卫良
申请人 ：
温岭市华航电子科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省台州市温岭市大溪镇高田村一级公路北侧
代理机构 ：
杭州浙科专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
吴秉中
优先权 ：
CN202021929128.3
主分类号 ：
C23C14/56
IPC分类号 ：
C23C14/56 C23C14/35 C23C14/24 C23C14/14 C23C14/16
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/56
连续镀覆的专用设备；维持真空的装置，例如真空锁定器
法律状态
2021-05-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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