磁控溅射卷绕镀膜机
其他有关事项(避免重复授权放弃专利权)
摘要

本实用新型提供了一种磁控溅射卷绕镀膜机,至少包括有卷材放卷机构和/或收卷机构的真空室,至少一个镀膜真空室,连接收卷、放卷真空室及镀膜真空室的真空连接箱,其特征是有至少一个镀膜真空室中有真空镀膜箱体,位于真空镀膜箱体内的冷却辊,以冷却辊为中心周围布置有至少3组阴极和高低压真空泵及管道组成的真空抽气系统,磁控溅射的阴极的靶及靶芯设置在每个真空镀膜箱体中,阴极通过阴极法兰连接座以法兰连接形式安装在真空镀膜箱体壁上,气体、电源、冷却水连接管线置于真空镀膜箱体壁外,每组阴极之间有挡气隔离板将真空镀膜箱体壳体与冷却辊之间的空隙隔离形成抽气通道。镀膜机能在塑料薄膜表面多层镀膜,且获得的镀膜表面微观结构非常致密,表面平滑。

基本信息
专利标题 :
磁控溅射卷绕镀膜机
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200620036336.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2006-11-21
授权号 :
CN200996042Y
授权日 :
2007-12-26
发明人 :
甘国工
申请人 :
甘国工
申请人地址 :
610100四川省成都市龙泉驿区经济技术开发区星光中路东泰(成都)工业有限公司
代理机构 :
成都立信专利事务所有限公司
代理人 :
江晓萍
优先权 :
CN200620036336.4
主分类号 :
C23C14/35
IPC分类号 :
C23C14/35  C23C14/56  C23C14/02  C23C14/12  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的,例如磁控溅射
法律状态
2009-09-02 :
其他有关事项(避免重复授权放弃专利权)
放弃生效日 : 2009826
2007-12-26 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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