双室旋转磁控溅射镀膜机
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
迄今在市场上销售的镀膜机，无例外的都是单室机。本发明的双室旋转磁控溅射镀膜机是对单室磁控溅射镀膜机的改进。两个镀膜室通过预抽真空管道和蝶阀、高真空三通管道和闸板阀组成一个整体。两室交替的使用一套真空抽气机组和一套电源控制系统，其工作效率相当于两台单室机，但比两台单室机节约电能40％以上，而造价却比两台单室机低30％。由于发明了旋转磁控溅射靶系统，使靶材表面溅射和刻蚀均匀，靶材的利用率由原来的20％左右提高到了现在的74％。
基本信息
专利标题 ：
双室旋转磁控溅射镀膜机
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN89215781.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1989-09-05
授权号 ：
CN2075655U
授权日 ：
1991-04-24
发明人 ：
王贵义王世忠
申请人 ：
核工业西南物理研究院
申请人地址 ：
四川省乐山市第十五信箱
代理机构 ：
核工业专利法律事务所
代理人 ：
刘世权
优先权 ：
CN89215781.X
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
1995-05-03 ：
专利权的终止专利权有效期届满
1991-11-13 ：
授权
1991-04-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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