双室三工位多靶共溅磁控溅射镀膜方法
授权
摘要
本发明提供一种双室三工位多靶共溅磁控溅射镀膜方法，具有第一镀膜室、第二镀膜室、室外装卸工位以及集热管小车，所述第一镀膜室的真空腔体内设有若干根直流磁控溅射靶，所述第二镀膜室设有数根直流磁控溅射靶与数根中频磁控溅射靶；通过在第一镀膜室完成红外反射涂层镀膜工艺，在第二镀膜室完成选择性吸收涂层镀膜工艺，周而复始地高效完成镀膜工作；在工作过程中，第二镀膜室始终保持真空，而第一镀膜室在破真空时使用干燥空气来填充，有效避免了湿空气、污染物影响镀膜质量。
基本信息
专利标题 ：
双室三工位多靶共溅磁控溅射镀膜方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111286706A
申请号 ：
CN201811489707.8
公开（公告）日 ：
2020-06-16
申请日 ：
2018-12-06
授权号 ：
CN111286706B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
钟洪伟刘奎陈年庚赵娟刘子毓
申请人 ：
北京华业阳光新能源有限公司;北京启迪清洁能源科技有限公司
申请人地址 ：
北京市海淀区成府路45号智造大街A座305
代理机构 ：
北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
孙皓晨
优先权 ：
CN201811489707.8
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/56
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2020-07-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/35
申请日 : 20181206
申请日 : 20181206
2020-06-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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