基于直流磁控溅射方法的狭缝镀膜装置

授权

摘要

本申请提出一种基于直流磁控溅射方法的狭缝镀膜装置，包括法兰、阴极丝、阴极丝固定结构，其中，法兰的个数为两个，两个法兰平行放置，用于固定待镀膜的真空管，阴极丝固定在真空管的中心位置，阴极丝固定结构设置在阴极丝上，用于固定阴极丝；其中，阴极丝上每间隔预设距离设置一个阴极丝固定结构。由此，采用阴极丝固定结构将阴极丝稳定固定，以保证阴极丝处于拉直且不短路的状态，实现了在真空管内壁进行镀膜过程中等离子体辉光放电时阴极丝处于拉紧状态且不会被拉断，解决了现有技术中对于6mm以下尺寸的狭缝真空管进行镀膜时，出现阴极丝与真空管之间短路、阴极丝断裂等现象影响对真空管进行镀膜的技术问题，从而保证了镀膜能够正常进行。

基本信息

专利标题：

基于直流磁控溅射方法的狭缝镀膜装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021140555.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-06-18

授权号：

CN212770928U

授权日：

2021-03-23

发明人：

马永胜孙飞黄涛刘佰奇郭迪舟何平董海义

申请人：

中国科学院高能物理研究所

申请人地址：

北京市石景山区玉泉路19号（乙）院

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

石茵汀

优先权：

CN202021140555.3

主分类号：

C23C14/35

IPC分类号：

C23C14/35