复合阴极、磁控溅射镀膜设备及镀膜方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种复合阴极、磁控溅射镀膜设备及镀膜方法,该复合阴极包括:弧阴极;引弧针,与弧阴极相对设置,用于与弧电源正极连接以在弧阴极表面引弧;磁控阴极,相间隔地设于弧阴极一侧,且用于与磁控电源负极连接;辅助阳极,相间隔地设于磁控阴极背离弧阴极的一侧,且与弧阴极之间能够形成电势差。该复合阴极、磁控溅射镀膜设备及镀膜方法能够大大提高磁控阴极表面气体的离化率,进而提高磁控溅射镀膜的沉积速率和溅射材料离化率。相比于传统高功率脉冲磁控溅射工艺,本发明无需使用价格高昂的HIPIMS高功率脉冲溅射电源,成本更低,成膜速率更快。相比于传统阴极电弧离子镀,本发明形成的薄膜大颗粒溶滴少,表面质量更好。
基本信息
专利标题 :
复合阴极、磁控溅射镀膜设备及镀膜方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114540779A
申请号 :
CN202210146590.3
公开(公告)日 :
2022-05-27
申请日 :
2022-02-17
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
杨恺林海天李立升
申请人 :
东莞市华升真空镀膜科技有限公司
申请人地址 :
广东省东莞市大岭山镇百花洞马山庙路2号5栋401室、501室
代理机构 :
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 :
周孝湖
优先权 :
CN202210146590.3
主分类号 :
C23C14/35
IPC分类号 :
C23C14/35 C23C14/32 C23C14/54
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的,例如磁控溅射
法律状态
2022-06-14 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/35
申请日 : 20220217
申请日 : 20220217
2022-05-27 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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