真空磁控镀膜生产线及其镀膜方法
实质审查的生效
摘要

本发明公开一种真空磁控镀膜生产线及其镀膜方法,真空磁控镀膜生产线包括依次连通的进口室、进口缓冲室、进口过渡室、AR层镀膜室、ITO层镀膜室、出口过渡室、出口缓冲室以及出片室,形成连通的直线通道,真空磁控镀膜生产线还包括基片传送机构以及溅射阴极,基片传送机构用于将待镀膜的基片在直线通道内进行传送,基片传送机构包括多个依次布置在直线通道内的基片框架,相邻基片框架之间设有连接结构以使多个基片框架的表面位于同一平面上。本发明提供的真空磁控镀膜生产线通过设置连接结构令多个基片框架的表面位于同一平面上,基片能够十分平稳地流经各室,以确保不会出现基片抖动的现象。

基本信息
专利标题 :
真空磁控镀膜生产线及其镀膜方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114438469A
申请号 :
CN202111658386.1
公开(公告)日 :
2022-05-06
申请日 :
2021-12-31
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
陈立李俊杰薛闯李新栓寇立黄乐孙桂红潘继峰
申请人 :
湘潭宏大真空技术股份有限公司
申请人地址 :
湖南省湘潭市九华经济区盛世路8号
代理机构 :
湖南乔熹知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
周琼
优先权 :
CN202111658386.1
主分类号 :
C23C14/56
IPC分类号 :
C23C14/56  C23C14/35  C23C14/08  C23C14/06  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/56
连续镀覆的专用设备;维持真空的装置,例如真空锁定器
法律状态
2022-05-24 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/56
申请日 : 20211231
2022-05-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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