一种磁控溅射阴极的磁源结构
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摘要
本实用新型提供了一种磁控溅射阴极的磁源结构，所述磁源结构包括阴极靶和磁体组件，所述磁体组件设置于阴极靶下方；所述磁体组件包括横向磁体和纵向磁体，所述横向磁体和纵向磁体交替排列，相邻的纵向磁体的磁极相反，相邻的纵向磁体和横向磁体的磁极相同。本实用新型所述磁源结构通过在常规磁体的基础上增加横向磁体，并通过横向磁体和纵向磁体的排列方式，有效增强阴极靶表面附近的磁场强度；所述磁源结构中横向磁体位置的可调节性，可有效改变靶材表面磁场的分布情况，增强磁场分布的均匀性和一致性，使磁控溅射进行时靶材能够均匀消耗，提高镀膜质量。
基本信息
专利标题 ：
一种磁控溅射阴极的磁源结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922313233.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-20
授权号 ：
CN211112196U
授权日 ：
2020-07-28
发明人 ：
韩相华徐君孙永阳
申请人 ：
横店集团东磁股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省金华市东阳市横店镇工业区
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
巩克栋
优先权 ：
CN201922313233.8
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/34
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2020-07-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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