用于磁控溅射靶阴极的磁铁布置结构
公开
摘要
本发明公开了一种用于磁控溅射靶阴极的磁铁布置结构，包括圆盘状的极靴，极靴上方同轴上方设有环状的外磁轭，外磁轭与极靴之间均匀分布有若干个外磁铁；极靴的中心处设有内磁铁，内磁铁的上方设有内磁轭。本发明解决了现有技术中存在磁控溅射靶阴极结构磁场分布不均匀、靶材利用率低、散热效果不佳的问题。
基本信息
专利标题 ：
用于磁控溅射靶阴极的磁铁布置结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114574830A
申请号 ：
CN202210242822.5
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-03-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
叶伟李梦飞杜鹏飞
申请人 ：
陕西理工大学
申请人地址 ：
陕西省汉中市汉台区东一环路1号
代理机构 ：
西安弘理专利事务所
代理人 ：
许志蛟
优先权 ：
CN202210242822.5
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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