专用于沉积大面积薄膜的平面磁控溅射源
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种专用于沉积大面积薄膜的平面磁控溅射源，其磷场由条状静止的外磁组件和能作往复运动的内磁组件产生，能对静止的大面积工件表面均匀地镀复阳光控制膜、低辐射膜、镜面膜及导电膜。适用于镀复大面积的工件，如大型建筑玻璃、汽车护栅、露天字牌、大型平面镜等。是一种靶树利用率高、耗能小、膜层均匀度高、投资少效益高的新型溅射源。
基本信息
专利标题 ：
专用于沉积大面积薄膜的平面磁控溅射源
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN88100832A
申请号 ：
CN88100832.X
公开（公告）日 ：
1988-09-28
申请日 ：
1988-02-10
授权号 ：
CN1005733B
授权日 ：
1989-11-08
发明人 ：
王德苗任高潮
申请人 ：
浙江大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市玉泉
代理机构 ：
浙江大学专利代理事务所
代理人 ：
连寿金
优先权 ：
CN88100832.X
主分类号 ：
C23C14/36
IPC分类号 ：
C23C14/36 C23C14/34
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/36
二极溅射
法律状态
1995-04-05 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1990-07-04 ：
授权
1989-11-08 ：
审定
1988-09-28 ：
公开
1988-09-28 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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