晶圆薄膜沉积装置
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种晶圆薄膜沉积装置，包括：本体；加热腔体，设置在所述本体表面；加热盘，安装在所述本体表面，并位于所述加热腔体内部，用于对所述晶圆进行加热；环形件，设置在所述加热盘上表面；其中，所述环形件的内壁包括上下连接的支撑面和边缘面，所述边缘面所在平面与所述支撑面所在平面之间的不超过90°的夹角为第一斜坡倾角，所述第一斜坡倾角的角度大于或等于第一阈值角度，所述第一斜坡倾角的角度小于或等于第二阈值角度，所述第一阈值角度和所述第二阈值角度均位于0°至90°之间，且所述第一阈值角度小于所述第二阈值角度。本发明能够有效提高晶圆沉积薄膜的均匀性，满足不同的制备需求。
基本信息
专利标题 ：
晶圆薄膜沉积装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114318305A
申请号 ：
CN202111629896.6
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张艳喆刘健李培培戚艳丽
申请人 ：
拓荆科技股份有限公司
申请人地址 ：
辽宁省沈阳市浑南区水家900号
代理机构 ：
上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
黄海霞
优先权 ：
CN202111629896.6
主分类号 ：
C23C16/50
IPC分类号 ：
C23C16/50 C23C16/46 C23C16/34 C23C16/40 C23C16/52
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/50
借助放电的
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/50
申请日 : 20211228
申请日 : 20211228
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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