磁控溅射装置和磁控溅射方法
实质审查的生效
摘要

本发明提供一种磁控溅射装置和磁控溅射方法。磁控溅射装置包括:真空容器;多个溅射机构,其分别包括靶材、磁体排列体和使磁体排列体在第一位置与第二位置之间往复移动的移动机构;电源,为了利用被选择的溅射机构在基片上进行成膜,而向上述靶材供给电功率来形成等离子体;向上述真空容器内供给用于形成上述等离子体的气体的气体供给部;和控制部,在进行上述成膜时输出控制信号,使得俯视时彼此的上述磁体排列体的移动路径的延长线交叉的上述被选择的溅射机构的该磁体排列体与上述未选择的溅射机构的该磁体排列体以彼此不靠近的方式同步地移动。根据本发明,在进行磁控溅射处理时,能够抑制为了形成等离子体而施加于靶材的电压的变动。

基本信息
专利标题 :
磁控溅射装置和磁控溅射方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114381700A
申请号 :
CN202111126707.3
公开(公告)日 :
2022-04-22
申请日 :
2021-09-26
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
宫下哲也中村贯人菊池祐介
申请人 :
东京毅力科创株式会社
申请人地址 :
日本东京都
代理机构 :
北京尚诚知识产权代理有限公司
代理人 :
龙淳
优先权 :
CN202111126707.3
主分类号 :
C23C14/35
IPC分类号 :
C23C14/35  C23C14/54  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的,例如磁控溅射
法律状态
2022-05-10 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/35
申请日 : 20210926
2022-04-22 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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