平面磁控溅射器
专利权的终止
摘要

本实用新型涉及一种平面磁控溅射器,该平面磁控溅射器包括:基座、设置在基座上用于承托靶材的靶材承托板以及设置在靶材承托板相对靶材一侧并用于在靶材表面产生磁场的磁极装置,磁极装置包括磁体安装座和设置在磁体安装座上的磁体,其中磁体安装座包括中部磁体安装座以及沿纵向方向设在中部磁体安装座两侧的端部磁体安装座,端部磁体安装座与中部磁体安装座转动连接。通过上述结构,将整个磁极分成端部和中部来分别控制,将端部磁体安装座和中部磁体安装座通过旋转铰链连接,通过调节铰链的旋转角度就可实现端部磁场的调节,最终达到与中部磁场吻合的结果,并且调节的过程连续、便捷。

基本信息
专利标题 :
平面磁控溅射器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200620017973.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2006-08-28
授权号 :
CN200971381Y
授权日 :
2007-11-07
发明人 :
许生徐升东庄炳河
申请人 :
深圳豪威真空光电子股份有限公司
申请人地址 :
518000广东省深圳市南山区深南大道市高新技术工业村W1A区一楼
代理机构 :
广东国晖律师事务所
代理人 :
徐文涛
优先权 :
CN200620017973.7
主分类号 :
C23C14/35
IPC分类号 :
C23C14/35  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的,例如磁控溅射
法律状态
2016-10-19 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101683483859
IPC(主分类) : C23C 14/35
专利号 : ZL2006200179737
申请日 : 20060828
授权公告日 : 20071107
终止日期 : 20150828
2016-02-03 :
文件的公告送达
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101727288598
IPC(主分类) : C23C 14/35
专利号 : ZL2006200179737
专利申请号 : 2006200179737
收件人 : 深圳豪威真空光电子股份有限公司
文件名称 : 缴费通知书
2007-11-07 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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