一种平面磁控溅射靶
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本实用新型是关于平面磁控溅射靶，应用于高速，均匀淀积薄膜的磁控溅射。它是由磁体、磁隙、磁体密封罩和冷却系统组成。靶内磁体采用了倾斜极面、并与磁隙相应配合，组成磁路。这样增加了磁场平行分量、减小磁通外漏、具有靶的刻蚀均匀度好，刻蚀面积大、淀积速率高、薄膜的均匀度好、一致性好、结构简单、容易制作等优点。
基本信息
专利标题 ：
一种平面磁控溅射靶
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN87205281.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1987-12-17
授权号 ：
CN2030599U
授权日 ：
1989-01-11
发明人 ：
欧阳煦曲喜新严康宁
申请人 ：
成都电讯工程学院
申请人地址 ：
四川省成都市东郊建设北路二段四号
代理机构 ：
电子科技大学专利事务所
代理人 ：
詹权松
优先权 ：
CN87205281.8
主分类号 ：
C23C14/34
IPC分类号 ：
C23C14/34
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
1993-04-14 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1989-10-18 ：
授权
1989-09-06 ：
变更
变更事项 : 申请人
变更前 : 成都电讯工程学院
变更后 : 电子科技大学
变更前 : 成都电讯工程学院
变更后 : 电子科技大学
1989-09-06 ：
变更
变更前 : 成都电讯工程学院专利代理室 变更后 : 电子科技大学专利事务所 变更事项 : 专利代理机构
1989-01-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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