分离磁体式平面磁控溅射源
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
摘要
一种分离磁体式平面磁控溅射源，它含有一个位于阴极靶[4]外侧的固定式圆环形磁体[2]和一个或若干个作圆周运动的内磁组件构成的磁场源，以及一个优先冷却阴极靶[4]的水冷器。能产生一个或多个作圆周运动的扇形等离子体闭合环，或者产生一个能旋转的∞字形等离子体闭合环。同已有的平面磁控溅射源比较，具有靶面有效溅射区域大、溅射刻蚀均匀、靶材利用率高、薄膜的等厚度沉积面积大等优点。
基本信息
专利标题 ：
分离磁体式平面磁控溅射源
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN87214299.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1987-10-12
授权号 ：
CN87214299U
授权日 ：
1988-08-10
发明人 ：
王德苗任高潮
申请人 ：
浙江大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市玉泉
代理机构 ：
浙江大学专利代理事务所
代理人 ：
连寿金
优先权 ：
CN87214299.X
主分类号 ：
C23C14/36
IPC分类号 ：
C23C14/36
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/36
二极溅射
法律状态
1992-02-05 ：
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
1989-08-16 ：
授权
1988-08-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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