一种高效率磁控溅射平面阴极
专利申请权、专利权的转移
摘要

本实用新型公开了一种高效率磁控溅射平面阴极,包括靶材和磁场发生装置,磁场发生装置包括磁轭和设置在靶材与磁轭之间的双磁路磁体装置,双磁路磁体装置包括两组主磁体装置和两组辅助磁体装置,主磁体装置包括端部磁体和主磁体,两组主磁体相邻设置在磁轭上表面中部位置,主磁体的磁化极轴方向均与靶材水平。本实用新型通过设置相邻的主磁体,展宽了靶材上方的可溅射区域,使靶材上方磁场强度分布更均匀,从而提高了靶材的利用率,增强了靶材上方的等离子密度,能够提高溅射速率,从而提高薄膜沉积速率,降低镀膜成本。

基本信息
专利标题 :
一种高效率磁控溅射平面阴极
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920524017.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-04-17
授权号 :
CN209836293U
授权日 :
2019-12-24
发明人 :
谢斌李明籍伟杰
申请人 :
合肥科赛德真空技术有限公司
申请人地址 :
安徽省合肥市高新区燕子河路国科军通产业园B楼3层301室
代理机构 :
北京盛凡智荣知识产权代理有限公司
代理人 :
高志军
优先权 :
CN201920524017.5
主分类号 :
C23C14/34
IPC分类号 :
C23C14/34  C23C14/35  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
2021-08-31 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : C23C 14/34
登记生效日 : 20210819
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 合肥科赛德真空技术有限公司
变更后权利人 : 安徽赛铮科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 230088 安徽省合肥市高新区燕子河路国科军通产业园B楼3层301室
变更后权利人 : 230000 安徽省合肥市长丰县双凤经济开发区双凤路28号
2019-12-24 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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