多源型平面磁控溅射源
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
摘要
一种多源型不面磁控溅射源，其磁场源由一个固定的外磁组件、一个或多个可作旋转运动的内磁组件6构成，溅射靶板8由若干个可拆换的异质扇形单元靶拼成，溅射靶板8的上方有一个开有扇形窗口、能同内磁组件6作同步运动的挡板25。该溅射源具有共溅沉积合金膜、沉积多层膜或沉积单质薄膜等功能。沉积多层膜时靶材利用率达75％以上；共溅沉积合金膜时，靶材利用率达85％以上，膜层成份配比精确度高、厚度均匀性好。
基本信息
专利标题 ：
多源型平面磁控溅射源
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87106938A
申请号 ：
CN87106938.5
公开（公告）日 ：
1988-07-13
申请日 ：
1987-10-12
授权号 ：
CN1003945B
授权日 ：
1989-04-19
发明人 ：
王德苗任高潮
申请人 ：
浙江大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市玉泉
代理机构 ：
浙江大学专利代理事务所
代理人 ：
连寿金
优先权 ：
CN87106938.5
主分类号 ：
C23C14/34
IPC分类号 ：
C23C14/34
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
1992-02-05 ：
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
1989-12-06 ：
授权
1989-04-19 ：
审定
1988-05-11 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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