一种磁控溅射平面靶磁通装置
授权
摘要
本发明公开了一种磁控溅射平面靶磁通装置，涉及磁控溅射镀膜设备领域。该装置包括壳体、矩形磁体结构与靶材，壳体的上表面开有设置靶材的窗口，靶材的两端通过压板压紧、且通过沉头螺栓固定；壳体内侧上表面与靶材的下表面平齐，靶材下方设置有隔板，隔板下方设置为平面靶材冷却水道，平面靶材冷却水道下方为矩形磁体结构，其通过L形的卡桩安装于壳体的内底面上，矩形磁体结构包括矩形的环状磁轭及底面的矩形磁轭，环状磁轭安装于矩形磁轭上，环状磁轭内按照海尔贝克的原理设置磁体阵列；磁体阵列的强磁性一面朝向靶材，弱磁性一面由矩形磁轭覆盖。本发明提高磁控溅射平面靶材溅射的均匀性，提高了靶材利用率，提升了生产效率，降低了生产成本。
基本信息
专利标题 ：
一种磁控溅射平面靶磁通装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114351104A
申请号 ：
CN202210274215.7
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2022-03-21
授权号 ：
CN114351104B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
杨连圣张葆华何欢张敏刚郭敬东韩志明赵菁赵亚利
申请人 ：
山西金山磁材有限公司
申请人地址 ：
山西省太原市不锈钢工业园区钢园北路37号
代理机构 ：
太原科卫专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
侯小幸
优先权 ：
CN202210274215.7
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/35
申请日 : 20220321
申请日 : 20220321
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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