一种圆柱磁控溅射靶磁芯装置
专利申请权、专利权的转移
摘要
本实用新型涉及真空镀膜技术领域,尤其涉及一种圆柱磁控溅射靶磁芯装置,包括圆柱靶靶材以及磁芯,所述磁芯包括磁钢座、6条长条形强磁钢以及6个扇形磁钢,其特征在于,所述磁钢座上设置6个垂直平面;所述6个垂直平面的上面安装强磁场均匀的所述长条形磁钢;所述6个长条形强磁钢的排布方式为任意相邻的两条长条形磁钢为异性极性排列N‑S‑N或S‑N‑S;所述磁场座两端横面各安装有3个弱磁的所述扇形磁钢。本实用新型提供一种圆柱磁控溅射靶的磁芯装置,具有提高靶材利用率,提升靶材沉积速率,缩短了镀膜时间,从而提升整个真空镀膜过程的生产效率。
基本信息
专利标题 :
一种圆柱磁控溅射靶磁芯装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921638142.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-09-29
授权号 :
CN211256071U
授权日 :
2020-08-14
发明人 :
不公告发明人
申请人 :
北京实力源表面技术有限公司
申请人地址 :
北京市通州区景盛南二街35号院3号楼1-2层
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN201921638142.5
主分类号 :
C23C14/35
IPC分类号 :
C23C14/35
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的,例如磁控溅射
法律状态
2020-11-20 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : C23C 14/35
登记生效日 : 20201110
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 北京实力源表面技术有限公司
变更后权利人 : 北京实力源科技开发有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 101102 北京市通州区景盛南二街35号院3号楼1-2层
变更后权利人 : 100070 北京市丰台区科技园区3A地块工商联科技大厦22B04[园区]
登记生效日 : 20201110
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 北京实力源表面技术有限公司
变更后权利人 : 北京实力源科技开发有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 101102 北京市通州区景盛南二街35号院3号楼1-2层
变更后权利人 : 100070 北京市丰台区科技园区3A地块工商联科技大厦22B04[园区]
2020-08-14 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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