磁控溅射圆柱靶的两级密封装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种磁控溅射圆柱靶的两级密封装置，包括：中空圆柱状的靶材；用于对靶材端部进行封装的密封端头，其一侧设置有盲堵，另一侧设置有可伸入靶材内部的连接柱；用于将靶材与密封端头连接成一体的卡扣组件；其中，所述连接柱在与靶材配合的一侧边缘处，以及靠近盲堵的一侧边缘处，分别设置有环形结构的第一沉槽、第二沉槽；所述第一沉槽、第二沉槽上分别设置有实现两级密封的第一密封机构、第二密封机构。本实用新型提供一种磁控溅射圆柱靶的两级密封装置，在密封端头上采用双密封机构的设计，增强密封性能，降低靶材因漏水造成的产品不良。
基本信息
专利标题 ：
磁控溅射圆柱靶的两级密封装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920911660.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-17
授权号 ：
CN210261966U
授权日 ：
2020-04-07
发明人 ：
梁伟陈培专李仁龙魏昌华高翔
申请人 ：
绵阳金能移动能源有限公司
申请人地址 ：
四川省绵阳市涪城区凤凰中路8号
代理机构 ：
北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
贾晓燕
优先权 ：
CN201920911660.3
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 H01L31/18
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2020-04-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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