一种磁控溅射圆柱靶

专利权的终止

摘要

本实用新型公开了一种磁控溅射圆柱靶，包括靶的芯铁，所述的芯铁凹槽上装有强磁铁，所述的强磁铁两端安装有弱磁铁；所述的强磁铁和弱磁铁两边的凹槽上对应的装有强性磁铁和弱性磁铁。本实用新型通过改变磁控溅射圆柱靶两端磁场强度，减小磁铁长度，从而解决了磁控溅射圆柱靶的靶材两端溅射后出现凹槽的缺陷，使靶材的利用率提高了一倍，同时，延长了靶材更换的周期，降低了劳动强度。

基本信息

专利标题：

一种磁控溅射圆柱靶

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200820003764.6

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2008-02-20

授权号：

CN201206165Y

授权日：

2009-03-11

发明人：

李建斌王智建张明贵陈革张好勇隗方基章其初

申请人：

黄鸣

申请人地址：

253000山东省德州市德城区东风路35-5-1-501号

代理机构：

北京三高永信知识产权代理有限责任公司

代理人：

何文彬

优先权：

CN200820003764.6

主分类号：

C23C14/35

IPC分类号：

C23C14/35

IPC结构图谱

C部——化学；冶金

C23

对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制

C23C

对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆

C23C14/00

通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆

C23C14/22

以镀覆工艺为特征的

C23C14/34

溅射

C23C14/35

利用磁场的，例如磁控溅射

法律状态

2014-04-02 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101581247669
IPC(主分类) : C23C 14/35
专利号 : ZL2008200037646
申请日 : 20080220
授权公告日 : 20090311
终止日期 : 20130220

2010-04-21 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101000938311
IPC(主分类) : C23C 14/35
专利号 : ZL2008200037646
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 黄鸣
变更后权利人 : 皇明太阳能股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 253000 山东省德州市德城区东风路35-5-1-501号
变更后权利人 : 253030 山东省德州市经济技术开发区太阳谷大道日月坛大厦
登记生效日 : 20100310

2009-03-11 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

文件下载

暂无PDF文件可下载