磁控溅射装置

专利权的终止

摘要

本实用新型属磁控溅射镀膜技术，具体涉及一种磁控溅射装置。由于目前采用平衡磁控溅射和非平衡磁控溅射方式，即使采用永磁铁移动或多组电磁线圈变换，靶材利用率也只能提高到20％～35％，并且存在结构复杂，加工成本高的问题。本实用新型的一种磁控溅射装置，包括磁体、导磁体、基片和溅射靶，其特别之处在于：所述磁体的相反磁极相对固定设置在溅射靶的侧面，磁体产生的磁约束磁场位于基片和溅射靶之间并且两磁极连线平行于靶面。本实用新型可以有效克服现有技术存在的靶材利用率低和沉积速率低的问题。

基本信息

专利标题：

磁控溅射装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200820030258.6

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2008-09-12

授权号：

CN201250284Y

授权日：

2009-06-03

发明人：

弥谦杭凌侠郭忠达梁海峰徐均琪孙国斌惠迎雪

申请人：

西安工业大学

申请人地址：

710032陕西省西安市金花北路4号

代理机构：

西安新思维专利商标事务所有限公司

代理人：

黄秦芳

优先权：

CN200820030258.6

主分类号：

C23C14/35

IPC分类号：

C23C14/35