多工位轴瓦磁控溅射装置
专利权的终止
摘要
本实用新型是一种多工位轴瓦磁控溅射装置，包括真空室(1)、磁控靶(2)和溅射电源，其特征在于：所述磁控靶(2)至少为两只，另有至少一只反溅靶(4)同所述磁控靶(2)一起，沿真空室(1)中心竖直周向均匀分布在真空室(1)上端，在所述真空室(1)下端中心设有转盘(7)，在该转盘(7)上与所述各靶相对处固定有双层结构内壁直径不同的瓦桶(8)；所述转盘(7)下表面固定有升降旋转轴(9)，该升降旋转轴(9)与升降旋转机构相连。本实用新型能在轴瓦内表面连续镀制两层金属及合金薄膜，而且能在一次开仓时装入多种规格的工件，在真空室内完成整个工艺过程，从而提高生产效率。
基本信息
专利标题 ：
多工位轴瓦磁控溅射装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200720188664.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2007-12-27
授权号 ：
CN201144280Y
授权日 ：
2008-11-05
发明人 ：
冀庆康尹树桐窦运林朱奎吴文俊
申请人 ：
重庆跃进机械厂有限公司
申请人地址 ：
402160重庆市永川区化工路1号
代理机构 ：
重庆市前沿专利事务所
代理人 ：
郭云
优先权 ：
CN200720188664.0
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2018-01-23 ：
专利权的终止
专利权有效期届满IPC(主分类) : C23C 14/35
申请日 : 20071227
授权公告日 : 20081105
申请日 : 20071227
授权公告日 : 20081105
2008-11-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
